jurnal cec

KARAKTERISTIK TRANSITOR EMITOR DITANAHKAN (CEC)

Jurusan Pendidikan Fisika Fakultas Tarbiyah UIN Alauddin Makassar

Abstrak

Telah dilakukan praktikum elektronika dasar II dengan judul “Karakteristik Transistor Emiter Ditanahkan (CEC)”. Praktikum ini dilaksanakan di Laboratorium Elektronika Jurusan Pendidikan Fisika. Praktikum ini bertujuan untuk memahami karakteristik masukan dan keluaran transistor emiter  ditanahkan dan memahami prinsip kerja transistor emiter  ditanahkan. Variabel yang diukur dalam praktikum ini adalah tegangan pada V_CE dan V_BE dan arus pada I_B dan I_C. Hasil pengamatan menunjukkan bahwa pada karakteristik  masukan lengkung ciri statik ketika tegangan kolektor emiter sama dengan nol, maka arus basis I_B naik dengan cepat atau memiliki nilai yang lebih besar dibandingkan dengan nilai tegangan kolektor emiter  yang lain. sedangkan pada keluaran lengkung ciri statiknya menunjukkan bahwa semakin besar arus basis I_B maka semakin besar pula kemiringannya.  Kesimpulan yang diperoleh dari hasil praktikum ini adalah karakteristik transistor emiter ditanahkan dapat digunakan sebagai penguatan tegangan sekaligus sebagai penguatan arus. Hal ini terlihat dari grafik pada ciri keluaran dimana semakin besar arus kolektor I_C semakin besar pula tegangan kolektor emiter V_CE yang ditunjukkan oleh garis kelengkungannya begitupula dengan parameter arus basis I_B yang juga semakin besar.   .

Kata kunci: V_CE, V_EB, ciri statik masukan,ciri statik keluaran.

TUJUAN

                 Tujuan yang ingin dicapai pada percobaan ini adalah:

1. Untuk memahami karakteristik masukan transistor emitter ditanahakan.
2. Untuk memahami karakteristik keluaran transistor emitter ditanahkan.
3. Untuk memahami prinsip kerja dari transistor emitter ditanahkan.   
   
   

METODOLOGI EKSPERIMEN

Teori Singkat

The bipolar junction transistor terdiri dari tiga daerah bahan semikonduktor. Salah satu jenis adalah disebut transistor pnp, di mana dua wilayah p-sandwich jenis bahan lapisan sangat tipis dari tipe-n material. Tipe kedua disebut n-p-n transistor, di mana dua daerah sandwich jenis material lapisan sangat tipis dari p-jenis material. Kedua jenis transistor terdiri dari dua sambungan p-n ditempatkan sangat dekat satu sama lain di belakang back-to-pengaturan tentang satu bagian dari semikonduktor  material. Diagram yang menggambarkan kedua jenis transistor ditunjukkan pada gambar dibawah ini :

sumber: John Bird,2003:146

 

Gambar 4.1 : Transistor tipe npn dan pnp

 ( John Bird, 2003: 146)

           Sebuah transistor bipolar dapat dianggap sebagai sandwich dari tipe-n dan semikonduktor tipe-p. Tentu saja, ada dua cara untuk membentuk roti ini: sepotong p-bahan

antara dua potong n-bahan (disebut transistor npn), atau sepotong n-bahan antara dua potong p-bahan (disebut transistor pnp). Simbol sirkuit untuk transistor ini ditunjukkan pada gambar 4.2. Kami akan fokus di sini pada transistor npn; pengembangan untuk transistor pnp mirip kecuali polaritas dan arus arah terbalik.

Sumber: Engleston, 2011: 104

                     

Gambar 4.2: Simbol rangkaian untuk transistor npn dan transistor pnp

(Engleston, 2011: 104-105).

1. Karakteristik masukan

   VCB=10V

                 

   VCE = 5V

                       I_B(mA)                    
   
   
   
   
   
   
        
                                 Sumber: Malvino, 1995: 131-132
   Gambar 4.3: Karakteristik masukan CEC

Karakteristik masukan antara tegangan emitor basis (V_BE) dan arus basis (I_B) untuk tegangan kolektor emitor (V_CE) yang kosntan, yang diperoleh dari grafik adalah

1. Karakteristik masukan sama dengan karakteristik dioda dari P – N yaitu diode pada panjar maju.
2. Perubahan yang kecil pada tegangan V_BE  akan mengubah arus basis I_B, hambatan pada masukan sangat kecil
3. Arus basis I_B sangat bergantung pada tegangan V_CE
4. Hambatan masukan, R_i = /  = konstan

Untuk konfigurasi umum-emitor karakteristik outputnya adalah saat output (I_C) versus tegangan output (V_CE) untuk berbagai nilai-nilai arus (I_B). Karakteristik masukan yang plot arus masukan (I_B) versus tegangan input (V_BE) untuk berbagai nilai-nilai dari tegangan keluaran (V_CE). Dicatat bahwa pada karakteristik dari gambar 3.1 besarnya I_B terletak di microamperes (µA) dibandingkan dengan milliamperes (mA) dari I_C. Pertimbangkan juga bahwa kurva I_B bukan sebagai horisontal yang diperoleh untuk I_E dalam konfigurasi-basis, namun menunjukkan bahwa tegangan kolektor-emitor-untuk mempengaruhi besarnya arus kolektor. Daerah aktif untuk konfigurasi umum-emitor adalah sebagian dari kuadran kanan yang memiliki linearitas terbesar, yaitu, wilayah di mana kurva untuk I_B hampir lurus dan sama (Malvino, 1995: 131-132).

1. Karakteristik keluaran
   Kurva antara tegangan V_CB dan arus I_C untuk arus I_B yang konstan, yang diperoleh dari grafik adalah

sumber : Amos, 2000:65-66

 Gambar 4.4: karakteristik keluaran CEC

1. Perubahan yang besar pada tegangan V_CE menyebabkan perubahan yang kecil pada aarus keluaran I_C sedangkan hambatan keluaran I_E menunjukkan kenaikan yang besar.
2. Hambatan keluaran R₀ = / saat = konstan ( Sudhindra, 1998: 48-49).

Penguat emitter ditanahkan memiliki arus yang cukup besar sebesar . Berdasarkan analisis kita akan memperoleh ekspresi untuk resistansi masukan, resistansi keluaran dan tegangan gain untuk sirkuit dalam parameter setara T-jaringan, sumber perlawanan R_s dan output beban R_l.  Sirkuit dasar untuk penguat umum-emitor diberikan dalam arah, di mana R_s adalah resistansi dari sumber sinyal dan R_l merupakan kolektor resistansi beban. Sumber-sumber bias dihilangkan untuk memberikan sirkuit yang setara. Jika arus basis dan arus kolektor searah maka  dalam penguat emitter ditanahkan sebesar (I_B + I_C). Sebelumnya kita telah ketahui bahwa jumlah arus ini dua adalah arus emitor (I_E) (Amos, 2000:65-66).

Alat dan Komponen

1. Alat

1. Power supply                                                                            2 buah
2. Ammeter                                                                                   1 buah
3. Voltmeter                                                                                  1 buah
4. Multitester                                                                                1 buah
5. Kabel probe multitester                                                            2 buah
6. Kabel penghubung                                                                    11 buah

1. Komponen

1. Potensiometer B10K                                                                 2 buah
2. Transistor BC108B tipe NPN                                                   1 buah

Identifikasi Variabel

Ciri masukan CEC

1. Variabel Kontrol                       : Tegangan kolektor emiter (V_CE)
2. Variabel Manipulasi                  : Tegangan basis emitter (V_BE)
3. Variabel Respon                       : Arus basis (I_B)
4. Variabel Ukur                           : Arus basis (I_B) dan tegangan basis emitter (V_BE)

Ciri keluaran CEC

1. Variabel Konstan                    : Arus basis (I_B)
2. Variabel Manipulasi                : Tegangan kolektor emitter (V_CE)
3. Variabel Respon                      : Arus kolektor (I_C)
4. Variabel Ukur                         : Arus kolektor (I_C) dan tegangan kolektor emitter (V_CE)

Definisi Operasional Variabel

Ciri Masukan CEC

1. Variabel Konstan

Tegangan kolektor emitter (V_CE) adalah tegangan antara kaki kolektor dan emiter dimana tegangan pada kedua kaki tersebut dikonstankan dengan cara memutar potensiometer pada daerah keluaran.

1.  Variabel Manipulasi

Tegangan basis emitter (V_BE) adalah tegangan antara kaki basis dan emitter  yang dapat diubah-ubah dengan cara  memutar potensiometer pada daerah masukan.

1. Variabel Respon

Arus basis (I_B) adalah kuat arus yang mengalir yang  melewati kaki  basis  yang merespon ketika mulai  V_BE  dimanipulasi ketika V_CE  dikonstankan.

1. Variabel Ukur

1. Arus basis (I_B) adalah  kuat arus yang mengalir pada kaki basis yang diukur dengan ammeter digital dimana batas ukur ammeter yang digunakan adalah 2000 µA.
2. Tegangan basis emitter (V_BE) adalah  tegangan yang terukur pada kaki basis dan emitor  dimana diukur  dengan menggunakan voltmeter digital dan batas ukurnya  20 volt.

Ciri Keluaran CEC

1. Variabel Konstan

Arus basis (I_B) adalah kuat arus yang melewati kaki basis yaitu dengan dikonstankan dengan cara memutar potensiometer di daerah masukan.

1. Variabel Manipulasi

Tegangan kolektor emitor (V_CE) adalah tegangan yang berada antara kaki kolektor dan emitor yang dapat diubah-ubah nilainya dengan cara  memutar potensiometer pada daerah keluaran.

1. Variabel Respon

Arus kolektor (I_C) adalah kuat arus yang melewati kolektor yang merespon saat tegangan kolektor emitter (V_CE) dimanipulasi ketika Arus basis (I_B) dikonstankan.

1. Variabel Ukur

1. Arus kolektor (I_C) adalah  kuat arus yang mengalir pada kaki kolektor yang diukur dengan ammeter digital dengan batas ukur ammeter 20 mA.
2. Tegangan kolektor emitter (V_CE) adalah tegangan yang terukur pada kaki kolektor yang diukur menggunakan voltmeter digital dengan batas ukur 20 volt.

Prosedur Kerja

Kegiatan 1 : Ciri Masukan CEC

1. Menyiapkan alat dan komponen yang akan digunakan
2. Mengetes transistor dan potensiometer apakah masih bagus atau tidak.
3. Menentukan kaki-kaki transistor dengan menggunakan multitester.
4. Membuat rangkaian seperti gambar berikut:

                       

Gambar 4.5: Rangkaian masukan transistor emiter ditanahkan

1. Mengonstankan nilai V_CE dengan memutar R₁ yaitu pada tegangan 0,22 volt.
2. Memutar potensiometer R₂ untuk memanipulasi nilai V_BE dan memperhatikan nilai I_{B .}
3. Mencatat nilai V_BE pada voltmeter digital dan I_B pada amperemeter digital sampai potensiometer tidak bisa diputar lagi.
4. Mengulangi langkah 5 dengan memutar potensiometer R₂ dengan nilai V_CE yang berbeda yaitu 0,33 volt dan 0,51 volt.
5. Mengulangi langkah 6 untuk memperoleh nilai V_BE dan I_B.
6. Mencatat hasil pengamatan pada tabel pengamatan.

Kegiatan 2 : Ciri Keluaran CEC

1. Menyiapkan alat dan komponen yang akan digunakan
2. Mengetes transistor dan potensiometer apakah masih bagus atau tidak.
3. Menentukan kaki-kaki transistor dengan menggunakan multitester.

1. Membuat rangkaian seperti gambar berikut:

Gambar 4.6:  Rangkaian keluaran transistor emiter ditanahkan

1. Mengonstankan nilai I_B dengan memutar R₂ yaitu pada arus 0,30  µA.
2. Memutar potensiometer R₁ untuk memanipulasi nilai V_CE dan memperhatikan nilai I_C.
3. Mencatat nilai V_CE dengan pada voltmeter digital dan I_C pada amperemeter digital sampai potensiometer tidak bisa diputar lagi.
4. Mengulangi langkah 5 dengan memutar potensiometer R₂ dengan nilai I_B yang berbeda yaitu 0,80 µA dan 127,00 µA.
5. Mengulangi langkah 6 untuk memperoleh nilai V_CE dan I_B.
6. Mencatat hasil pengamatan pada tabel pengamatan.

HASIL EKSPERIMEN DAN ANALISIS DATA

Hasil Pengamatan

Kegiatan 1       : Karakteristik masukan CEC

Tabel 4.1         : Ciri  statis masukan (input)

Batas ukur voltmeter   = 20 volt

Batas ukur ammeter    = 2000 µA

V_BB                  = 3 volt                                                                       

V_CC                  = 3 volt                                                                       

VCE = 0,22 volt		VCE = 0,33 volt		VCE = 0,51 volt
IB  (µA)	VBE (V)	IB  (µA)	VBE (V)	IB  (µA)	VBE (V)
0,00	0,00	0,00	0,00	0,00	0,00
0,00	0,01	0,00	0,01	0,00	0,01
0,00	0,02	0,00	0,02	0,00	0,02
0,00	0,03	0,00	0,03	0,00	0,03
0,00	0,04	0,00	0,04	0,00	0,04
0,00	0,05	0,00	0,05	0,00	0,05
0,00	0,06	0,00	0,06	0,00	0,06
0,00	0,07	0,00	0,07	0,00	0,07
0,00	0,08	0,00	0,08	0,00	0,08
0,00	0,09	0,00	0,09	0,00	0,09
0,00	0,10	0,00	0,1	0,00	0,1
0,00	0,11	0,00	0,11	0,00	0,11
0,00	0,12	0,00	0,12	0,00	0,12
0,00	0,13	0,00	0,13	0,00	0,13
0,00	0,14	0,00	0,14	0,00	0,14
0,00	0,15	0,00	0,15	0,00	0,15
0,00	0,16	0,00	0,16	0,00	0,16
0,00	0,17	0,00	0,17	0,00	0,17
0,00	0,18	0,00	0,18	0,00	0,18
0,00	0,19	0,00	0,19	0,00	0,19
0,00	0,20	0,00	0,2	0,00	0,2
0,00	0,21	0,00	0,21	0,00	0,21
0,00	0,22	0,00	0,22	0,00	0,22
0,00	0,23	0,00	0,23	0,00	0,23
0,00	0,24	0,00	0,24	0,00	0,24
0,00	0,25	0,00	0,25	0,00	0,25
0,00	0,26	0,00	0,26	0,00	0,26
0,00	0,27	0,00	0,27	0,00	0,27
0,00	0,28	0,00	0,28	0,00	0,28
0,00	0,29	0,00	0,29	0,00	0,29
0,00	0,30	0,00	0,3	0,00	0,3
0,00	0,31	0,00	0,31	0,00	0,31
0,00	0,32	0,00	0,32	0,00	0,32
0,00	0,33	0,00	0,33	0,00	0,33
0,00	0,34	0,00	0,34	0,00	0,34
1,00	0,35	0,00	0,35	1,00	0,35
1,00	0,36	0,00	0,36	1,00	0,36
2,00	0,37	0,00	0,37	1,00	0,37
2,00	0,38	0,00	0,38	1,00	0,38
2,00	0,39	0,00	0,39	1,00	0,39
2,00	0,40	0,00	0,4	3,00	0,43
2,00	0,41	0,00	0,41	4,00	0,46
3,00	0,42	2,00	0,42	5,00	0,46
3,00	0,43	3,00	0,43	6,00	0,49
3,00	0,44	3,00	0,44	7,00	0,5
4,00	0,45	4,00	0,45	8,00	0,52
4,00	0,46	4,00	0,46	9,00	0,53
5,00	0,47	5,00	0,47	10,00	0,54
5,00	0,48	5,00	0,48	11,00	0,55
5,00	0,49	6,00	0,49	12,00	0,56
6,00	0,50	6,00	0,5	13,00	0,57
6,00	0,51	7,00	0,51	14,00	0,57
7,00	0,52	7,00	0,52	15,00	0,58
7,00	0,53	8,00	0,53	16,00	0,59
8,00	0,54	9,00	0,54	17,00	0,59
9,00	0,55	9,00	0,55	18,00	0,59
10,00	0,56	12,00	0,56	19,00	0,59
14,00	0,57	14,00	0,57	20,00	0,60
19,00	0,58	15,00	0,58	21,00	0,60
27,00	0,59	18,00	0,59	22,00	0,60
50,00	0,6	44,00	0,6	23,00	0,60
82,00	0,61	64,00	0,61	24,00	0,60
94,00	0,62	109,00	0,62	25,00	0,60
150,00	0,63	147,00	0,63	71,00	0,61
225,00	0,64	226,00	0,64	90,00	0,62

Grafik 1 : Ciri statis masukan

Kegiatan 2       : Karakteristik keluaran CEC

Tabel 4.2         : Ciri  statis keluaran (output)

Batas ukur voltmeter   = 20 volt

Batas ukur ammeter    = 20 mA dan 2000 µA

V_BB      = 3       volt                                                                 

V_CC      = 3       volt                                                                

IB = 0.30 µA		IB = 0.80 µA		IB = 127,00 µA
IC  (µA)	VEC (V)	IC  (µA)	VEC (V)	IC  (µA)	VEC (V)
0,00	0,00	0,00	0,00	0,00	0,00
0,06	0,02	0,00	0,01	0,09	0,01
0,13	0,03	0,19	0,02	0,28	0,02
0,19	0,04	0,55	0,03	0,96	0,03
0,28	0,05	0,93	0,04	1,55	0,04
0,54	0,06	1,36	0,05	2,82	0,05
0,84	0,07	2,26	0,06	3,6	0,06
1,09	0,08	3,58	0,07	4,17	0,07
1,38	0,09	3,63	0,08	6,09	0,08
1,78	0,1	4,43	0,09	8,11	0,09
2,28	0,11	6,19	0,1	8,13	0,1
2,36	0,12	6,78	0,11
2,77	0,13
2,8	0,14
3,17	0,15
3,26	0,16
3,32	0,17
3,4	0,18
3,49	0,19
3,56	0,2
3,67	0,21
3,68	0,22
3,83	0,23
3,9	0,24
3,97	0,25
3,98	0,26
4,06	0,27
4,09	0,28
4,1	0,29

Grafik 2: Ciri statis keluaran

PEMBAHASAN

                        Pada percobaan ini, kami menggunakan tegangan sumber sebesar 3 volt, batas ukur voltmeter 20 volt dan batas ukur ammeter sebesar 20 mA, dengan potensiometer yang bernilai 10 K 0hm dan transistor yang kami gunakan adalah tipe NPN. Pada kaki basis sebagai masukan karena diberikan panjar maju dengan demikian arus akan mengalir masuk ke basis sedangkan pada kaki kolektor sebagai keluaran karena diberikan panjar mundur sehingga tidak ada arus yang mengalir.

Kegiatan 1: Ciri statik masukan CEC

            Pada percobaan ini untuk mengetahui ciri masukan dari transistor emitter ditanahakan, maka V_CE dibuat tetap atau konstan yang bertujuan untuk mengetahui perngaruh tegangan masukan V_BE terhadap arus masukan I_B. Pada karakteristik masukan ini diperoleh tiga data pada tegangan V_CE yang dikonstankan yaitu :

1. Untuk V_CE1 = 0,22 V
   Setelah kami memperoleh nilai V_CE1 sebesar 0,22 Volt, kami memutar potensiometer untuk memperoleh nilai I_B1 dan V_BE1 sehingga diperoleh nilai V_BE  secara  berturut-turut adalah 0,01, 0,02, 0,03, 0,04, 0,05, 0,06, 0,07, 0,09, 0,10, 0,13, 0,14, 0,15, 0,16, 0,17, 0,18, 0,19, 0,20, 0,21, 0,22, 0,23, 0,24, 0,25, 0,26, 0,27, 0,28, 0,29, 0,30, 0,31, 0,32, 0,33, 0,34, 0,35, 0,36, 0,37, 0,38, 0,39, 0,40, hingga 0,64 volt arus basis I_B yang diperoleh adalah pada data pertama sampai data ke-34 diperoleh 0,00 μA. Selanjutnya data ke-35 dan selanjutnya sampai data terakhir dengan peningkatan rata-rata satu digit hingga data ter akhir sebesar 225,00 μA pada tegangan 0,64 V. Dari data, pada saat tegangan V_BE sama dengan 0,60 V arus basis (I_B) mulai melonjak naik. Hal ini menandakan bahwa transistor yang digunakan adalah berbahan silikon. Berdasarkan grafik percobaan sesuai dengan teori yang naik secara eksponensial.
2. Untuk V_CE2 = 0,33 V
   Setelah kami memperoleh nilai V_BE1 dan I_B1 maka selanjutnya kita mencari nilai V_BE2 dan I_B2. Sehingga diperoleh nilai V_BE2 berturut-turut yaitu 0,01, 0,02, 0,03, 0,04, 0,05, 0,06, 0,07, 0,08, 0,09, 0,10, 0,11, 0,12, 0,13, 0,14, 0,15, 0,16, 0,17, 0,18, 0,19, 0,20, 0,21, 0,23, 0,24, 0,25, 0,26, 0,27, 0,28, 0,29, 0,30, 0,31, 0,32, 0,33, 0,34, 0,35, 0,36, 0,37, 0,38, 0,39, 0,40 hingga 0,64 volt, dan adapun data yang diproleh pada I_B dari data pertama sampai data ke-41 adalah 0,00 μA, kemudian secara berturut turut dari data ke-42 sampai data terakhit yaitu 2,00, 3,00, 3,00, 4,00, 4,00 , 5,00, 5,00, 6,00, 6,00, 7,00, 7,00, 8,00, 9,00, 9,00, 12,00, 14,00, 15,00, 18,00, 44,00, 64,00, 109,00, 147,00, dan 226,00 μA. Dari data, pada saat tegangan V_BE sama dengan 0,60 V arus basis (I_B) mulai melonjak naik. Hal ini menandakan bahwa transistor yang digunakan adalah berbahan silikon. Berdasarkan grafik percobaan sesuai dengan teori yang naik secara eksponensial.
3. Untuk V_CE3 = 0,51 V

Setelah mencapai nilai Untuk V_BE1, I_B1, V_BE2, dan I_B2  maka selanjutnya kita mencari nilai V_BE3 dan I_B3 pada V_CE yang bernilai 0,51 Volt. Nilai V_BE yang diperoleh berturut-turut yaitu 0,01, 0,02, 0,03, 0,04, 0,05, 0,06, 0,07, 0,08, 0,09, 0,10, 0,11, 0,12, 0,13, 0,14, 0,19, 0,20, 0,21, 0,22, 0,23, 0,24, 0,25, 0,26, 0,27, 0,28, 0,29, 0,30, sampai 0,62 volt. Adapun nilai I_B yang diperoleh dari data pertama sampai data ke-35 yaitu 0.00 μA, kemudian dari data ke-36 sampai data ke-40 yaitu 1,00 μA dan dari data ke-43 sampai data ke- 61 dengan peningkatan rata- rata satu digit.Dari data, pada saat tegangan V_BE sama dengan 0,61 V arus basis (I_B) mulai melonjak naik. Hal ini menandakan bahwa transistor yang digunakan adalah berbahan silikon. Berdasarkan grafik percobaan sesuai dengan teori yang naik secara eksponensial.

Perbandingan yang diperoleh dari ketiga data tersebut yaitu pada data pertama kami memperoleh kurva yang lebih tinggi melonjak ke atas walupun nilai tegangan yang diperoleh pada data pertama lebih besar dari pada data kedua sama yaitu 0,64 V dan untuk data ketiga selisihnya hanya sedikit yaitu 0,62 V, sehingga grafik yang diperoleh sudah sesuai dengan teori yang mengalami kenaikan secara eksponensial. Dimana V_CE = 0 arus basis( I_B ) naik dengan cepat dibandingkan dengan nilai V_CE  yang lain, itu dikarenakan sambungan emitor-basis dan basis kolektor sama-sama mendapat tegangan panjar maju sehingga arus maju dari emitor ke basis sama besar dengan arus maju dari kolektor ke basis yang mengakibatkan arus kolektor I_C = 0, jika V_CE =0. Karena arus basis adalah aliran elektron yang menetralkan muatan listrik yang terjadi akibat rekombinasi dalam basis maka pada V_CE  =0 arus basis mempunyai nilai besar.

Kegiatan 2 : Ciri keluaran

Pada percobaan ini yang menjadi variabel ukur adalah arus kolektor (I_C), kemudian varibel yang dimanipulasi adalah V_CE. Dan untuk variable yang dikonstankan adalah arus pada basis (I_B). pada ciri keluaran ini diperoleh tiga data dengan nilai arus I_B  dikonstankan yaitu

1. Untuk I_B1 = 0,30 μA
   Setelah kita memperoleh nilai I_B1 0,30 μA maka kami memutar potensiometer untuk memperoleh nilai V_EC dan I_C, sehingga pada data ini kami memperoleh nilai V_EC berturut-turut yaitu 0,00, 0,02, 0,03, 0,04, 0,05, 0,06, 0,07, 0,08, 0,09, 0,10 sampai 0,29 volt. Sedangkan untuk I_C diperoleh dari data pertama sampai data 29 berturut-turut yaitu 0,00, 0,06, 0,13, 0,19, 0,28, 0,54, 0,84, 1,09, 1,38, 1,78, 2,28, 2,36, 2,77, 2,80, 3,17, 3,26, 3,32, 3,40, 3,49, 3,56, 3,67, 3,68, 3,83, 3,90, 3,97, 3,98, 4,06, 4,09, 4,10 mA. Sehingga dari data yang diperoleh dapat dilihat bahwa semakin besar V_CE  maka nilai I_C yang ditetapkan maka semakin besar pula kemiringannya, dan dari data yang diperoleh grafik yang diperoleh sudah hampir sesuai dengan teori yang ada.
2. Untuk I_B1 = 0,80 μA
    Setelah kami memperoleh nilai V_CE1 dan I_B1  maka selanjutnya kita mencari nilai I_B2 dan V_CE2 sehingga diperoleh nilai V _CE2  0,00, 0,01, 0,02, 0,03, 0,04, 0,05, 0,06, 0,07, 0,08, 0,09, 0,10,dan 0,11 volt. Adapun I_C diperoleh dari data pertama dan kedua yaitu 0,00 mA, kemudian dari data ketiga sampai data terakhir yaitu 0,19, 0,55, 0,93, 1,36, 2,26, 3,58, 3,63, 4,43, 6,19 dan 6,78 mA. Dari data yang telah diperoleh dapat dilihat bahwa semakin besar nilai V_CE maka I_C akan melonjak naik, sehingga grafik yang diperoleh sudah hampir sesuai dengan teori yang ada.
3. Untuk I_B1 = 127,00 μA

Setelah kami memperoleh data pertama dan kedua maka selanjutnya kita mencari untuk data yang ketiga dimana nilai I_B = 127,00 μA sehingga diperoleh nilai V_CE yaitu, 0,00, 0,01, 0,02, 0,03, 0,04, 0,05, 0,06, 0,07, 0,08, 0,09, dan 0,10 volt sedangkan untuk I_C3 diperoleh data 0,00, 0,09, 0,28, 0,96, 1,55, 2,82, 3,60, 4,17, 6,09, 8,11 dan 8,13 mA. Sehingga berdasarkan data yang diperoleh maka, dapat disimpulkan berdasarkan dari grafik yang telah diperoleh dimana grafik yang  diperoleh bagus atau sesuai dengan teori.

Perbandingan yang diperoleh dari ketiga data tersebut yaitu pada data ketiga  kami memperoleh kurva yang lebih tinggi melonjak ke atas karena nilai tegangan yang diperoleh pada data ketiga lebih besar dari pada data pertama dan kedua walaupun selisihnya hanya sedikit yaitu 0,19 dan 0,11 Volt, sehingga grafik yang diperoleh sudah sesuai dengan teori yang mengalami kenaikan secara eksponensial (kemiringan yang besar), hal ini berarti impedansi keluaran transistor yang sebanding dengan kebalikan kemiringan lengkungan ciri mempunyai nilai kecil dimana semakin besar arus basis I_B  maka semakin besar pula kemiringannya. Sedangkan terjadinya penguatan tegangan terjadi ketika nilai arus kolektor (I_C ) naik sedikit sementara nilai tegangan kolektor-emiter naik secara drastis.

SIMPULAN DAN DISKUSI

simpulan         

Pada percobaan karakteristik transistor untuk emitor ditanahkan diperoleh kesimpulan bahwa untuk ciri statik masukan menunjukkan lengkungan ciri statik dioda dalam keadaan panjar maju, hal ini dikarenakan sambungan  pemitor basis merupakan suatu dioda dengan panjar maju. Karakteristik masukan pada transistor emiter ditanahkan adalah pada kaki basis diberikan panjar maju sehingga grafik menunjukkan kurva pada dioda panjar maju. Pada saat V_CE = 0,22 V maka arus basis naik dengan cepat. Hal ini disebabkan sambungan emiter basis dan basis kolektor sama-sama mendapat panjar maju. Adapun prinsip kerja emiter ditanahkan yaitu pada hubungan kaki basis emiter sebagai masukan diberi panjar maju sedangkan kaki kolektor emiter sebagai keluaran diberi panjar mundur yang terhubung dengan polaritas yang berbeda dengan sumber tegangan.

Diskusi   

                        Pada percobaan selanjutnya, sebaiknya alat-alat yang akan digunakan semuanya berfungsi dengan baik dan alangkah baiknya jika kita dapat menggunakan 2 jenis transistor yaitu tipe npn dan pnp.

DAFTAR RUJUKAN

Amos, Stan and Mike James.2000. Principles Of Transistor Circuit. New Delhi: A Division Of Reed Educational and Professional.  

Bird, jhon. 2003. Electrical and Electronic Principles and Technology. India:  Laserwords      

          Private Limited.

Eggleston,Dennis L. 2011. Basic Electronics for Scients and Engineers. New York: Cambridge    University Press.

Malvino, Albert Paul. 1995. Electronic Principle. Jakarta: Erlangga.

Sudhindra,K.R. 1989. Basic Electronics. Bangalore: BMS College Of Engineering.