jurnal cbc

KARAKTERISTIK TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN (CBC)

Jurusan Pendidikan Fisika Fakultas Tarbiyah UIN Alauddin Makassar

Abstrak

Telah dilakukan praktikum elektronika dengan judul “Karakteristik Transistor Basis Ditanahkan (CBC)”. Praktikum ini dilaksanakan di Laboratorium Elektronik Jurusan Pendidikan Fisika. Praktikum ini bertujuan untuk memahami karakteristik transistor basis ditanahkan dan memahami prinsip kerja transistor basis ditanahkan. Variabel yang diukur dalam praktikum ini yaitu untuk karakteristik masukan yang diukur adalah tegangan pada V_EB dan kuat arus pada I_E, sedangkan untuk karakteristik keluaran yang diukur adalah tegangan pada V_CB  dan kuat arus pada I_C. Hasil pengamatan menunjukkan bahwa pada karakteristik masukan nilai V_CB 5,98 V lebih cepat melonjak naik dibandingkan dengan nilai V_CB 0,00 V dan V_CB 2,95 V, sedangkan pada karakteristik keluaran menunjukkan bahwa nilai I_E  0,04 mA lebih cepat melonjak naik dibandingkan dengan nilai I_E 0,08 mA dan I_E 0,14 mA. Hal ini menandakan bahwa kuat arus masukan I_E berpengaruh terhadap kuat arus keluaran I_C. Kesimpulan yang diperoleh dari hasil praktikum ini adalah bahwa pada percobaan karakteristik transistor basis ditanahkan diperoleh kesimpulan bahwa pada karakteristik masukan diberi panjar maju. Sedangkan karakteristik keluaran diberi panjar mundur, dimana kuat arus masukan I_E sebanding dengan kuat arus keluaran I_C sehingga semakin besar kuat arus masukan I_E maka semakin besar pula kuat arus keluaran I_C, dan V_CB tidak mempengaruhi I_C.

Kata kunci: karakteristik masukan, karakteristik keluaran, transistor basis ditanahkan.

TUJUAN

Tujuan dari percobaan ini adalah sebagai berikut:

1. Untuk memahami prinsip kerja transistor basis ditanahkan.
2. Untuk memahami karakteristik transistor basis ditanahkan.

METODE EKSPERIMEN

Teori Singkat

        The bipolar junction transistor terdiri dari tiga daerah bahan semikonduktor. Salah satu jenis adalah disebut transistor pnp, di mana dua wilayah p-sandwich jenis bahan lapisan sangat tipis dari tipe-n material. Tipe kedua disebut n-p-n transistor, di mana dua daerah sandwich jenis material lapisan sangat tipis dari p-jenis material. Kedua jenis transistor terdiri dari dua sambungan p-n ditempatkan sangat dekat satu sama lain di belakang back-to-pengaturan tentang satu bagian dari semikonduktor  material. Diagram yang menggambarkan kedua jenis transistor ditunjukkan pada gambar dibawah ini :

Gambar 3.1 : Transistor tipe npn dan pnp

 ( John Bird, 2003: 146)

           Sebuah transistor bipolar dapat dianggap sebagai sandwich dari tipe-n dan semikonduktor tipe-p. Tentu saja, ada dua cara untuk membentuk roti ini: sepotong p-bahan

antara dua potong n-bahan (disebut transistor npn), atau sepotong n-bahan antara dua potong p-bahan (disebut transistor pnp). Simbol sirkuit untuk transistor ini ditunjukkan pada gambar 3.2. Kami akan fokus di sini pada transistor npn; pengembangan untuk transistor pnp mirip kecuali polaritas dan arus arah terbalik.

                     

Gambar 3.2: Simbol rangkaian untuk transistor npn dan transistor pnp

(Engleston, 2011: 104-105).

Terminologi common-base berasal dari fakta bahwa dasar adalah sama untuk kedua input dan output sisi konfigurasi. Selain itu, basis biasanya yang paling dekat terminal, atau di, potensi tanah. Sepanjang buku ini ke segala arah saat akan mengacu konvensional (hole) mengalir daripada aliran elektron. Untuk sepenuhnya menggambarkan perilaku perangkat tiga terminal seperti yang common base amplifier membutuhkan dua set karakteristik, satu untuk mengemudi titik atau parameter input dan yang lainnya untuk sisi output. Input yang ditetapkan untuk penguat common-base akan berhubungan input saat ini (I_E) untuk input
tegangan (V_BE) untuk berbagai tingkat tegangan output (V_CB).  Output set akan berhubungan arus keluaran (I_C) untuk tegangan (V_CB) output untuk berbagai tingkat arus input (I_E).

Gambar 3.3: Kurva karakteristik masukan

(James dan Amos, 2000: 115)

Pada ciri statik masukan transistor perlu diperhatikan hal berikut:

a. Bentuk ciri statik masukan serupa dengan ciri statik dioda dalam keadaan panjar maju. Ini tak mengherankan oleh karena sambungan emitor basis merupakan suatu dioda dengan panjar maju.

b. Ciri statik masukan hampir berimpit untuk berbagai nilai V_CB. Hal ini berarti tegangan keluaran (V_CB) tak banyak berpengaruh pada masukan. Suatu penguat memang seharusnya demikian. Apa yang terjadi pada keluaran tak terasa pada masukan.

Pada ciri keluaran transistor dengan hubungan basis ditanahkan perlu diperhatikan hal berikut :

a.  i_C  i_E, karena i_C = α i_E dan α  1. Hal ini juga berarti arus keluaran i_C berbanding lurus dengan arus masukan i_E. Dikatakan transistor dwikutub adalah suatu piranti yang dikendalikan oleh arus.

b. Ciri statik keluaran mempunyai kemiringan amat kecil (sangat horizontal). Ini berarti hambatan keluaran transistor yang merupakan kebalikan kemiringan i_C(v_CB) mempunyai nilai amat besar yaitu sama dengan hambatan isyarat kecil dioda yang ada dalam keadaan tegangan mundur, yaitu dioda sambungan kolektor basis. (Sutrisno, 1986: 121-122)

          Karakteristik dari transistor biasanya disebut juga krakteristik statik, yang digambarkan dalam suatu kurva yang menghubungkan antara selisih arus dc dan tegangan pada transistor. Kurva karakteristik statik tersebut sangat membantu dalam mempelajari operasi dari suatu transistor ketika diterapkan dalam suatu rangkaian. ( Herman, 2014: 8)

Alat dan Komponen

1. Alat

1. Power Suplly                                                     2 buah
2. Multimeter                                                         2 buah
3. Multitester                                                         1 buah
4. Kabel Probe                                                     2 buah
5. Kabel penghubung                                            11 buah

1. Komponen

1. Potensiometer B10K                                         2 buah
2. Transistor  BC107B tipe NPN                          1 buah

Identifikasi Variabel

Kegiatan 1: karakteristik masukan basis ditanahkan (CBC)

1. Variabel manipulasi

1.  Tegangan pada emitor dan basis (V_EB)

1. Variabel respon :

1.   Kuat arus pada emitor (I_E)

1. Variabel kontrol

1.   Tegangan sumber masukan (V_CC)    
2.   Tegangan sumber keluaran (V_EE)
3.   Tegangan pada kolektor dan basis (V_CB)     

Kegiatan 2 :karakteristik keluaran  basis ditanahkan (CBC)

1. Variabel manipulasi

1. Tegangan pada kolektor dan basis (V_CB)

1. Variabel respon :

1. Tegangan pada kolektor dan basis (V_CB

1. Variabel kontrol

1. Kuat arus pada emitor (I_E)
2. Tegangan  sumber masukan (V_CC)
3. Tegangan  sumber keluaran (V_EE)

Definisi Operasional Variabel

1. Kuat arus pada emitor (I_E) adalah kuat arus yang mengalir masuk ke emitor yang diukur dengan menggunakan ammeter.
2. Tegangan sumber masukan (V_CC) adalah besarnya nilai tegangan masukan yang dihubungkan dengan  kolektor dan basis pada power suplay yang nilainya 6 volt, adapun tegangan yang digunakan yaitu direct current (DC).
3. Tegangan sumber keluaran (V_EE) adalah besarnya nilai tegangan keluaran yang dihubungkan dengan emiter-basis pada power supply yang nilainya 6 volt, adapun tegangan yang digunakan yaitu direct current (DC).
4. Tegangan pada kolektor dan basis (V_CB)  adalah beda potensial antara kolektor dan basis yang mendapat panjar mundur dan diukur dengan menggunakan voltmeter.     .
5. Tegangan keluaran (V_EB) adalah beda potensial antara emiter-basis yang diukur dengan menggunakan voltmeter.

Prosedur Kerja

Kegiatan 1: karakteristik masukan CBC.

1. Menyiapkan alat dan bahan yang akan digunakan.
2. Mengetes komponen yang akan digunakan dengan menggunakan multitester.
3. Merangkai rangkaian seperti pada gambar di bawah ini:
   
   
   Gambar 3.4: Rangkaian karakteristik masukan CBC
4. Memutar kedua potensiometer agar nilai V_CB,  V_EB,  dan I_E  = 0.
5. Memutar potensiometer R₁ agar nilai V_CB = 0.
6. Memutar potensiometer R₁ untuk menetapkan nilai V_CB pada 0,00 volt.
7. Memutar potensiometer R₂ untuk memperoleh nilai V_EB dan I_E. Mencatat nilai V_EB dan I_E sampai potensiometer R₂ tidak dapat putar lagi.
8. Mengulangi langkah 5 dengan memutar potensiometer dengan nilai V_CB sebesar 2,95 volt dan 5,98 volt.
9. Mengulangi  langkah 6  untuk memperoleh nilai V_EB dan I_E sampai diperoleh 3 data.
10. Mencatat hasil pengamatan pada tabel pengamatan.

Kegiatan 2 : karakteristik keluaran  CBC

1. Menyiapkan alat dan bahan yang akan digunakan.
2. Mengetes komponen yang akan digunakan dengan menggunakan multitester.
3. Merangkai rangkaian seperti pada gambar di bawah ini:

Gambar 3.5: Rangkaian  karakteristik keluaran CBC

1. Memutar kedua potensiometer agar nilai V_CB,  V_EB,  dan I_E  = 0.
2. Memutar potensiometer R₂ agar nilai I_E = 0.
3. Memutar potensiometer R₂ untuk menetapkan nilai I_E pada 0,04 mA.
4. Memutar potensiometer R₁ untuk memperoleh nilai V_CB dan I_C. Mencatat nilai V_CB dan I_C sampai potensiometer tidak dapat putar lagi.
5. Mengulangi langkah 5 dengan memutar potensiometer dengan nilai I_E sebesar  0,08 mA dan 0,14 mA.
6. Mengulang langkah 6 untuk memperoleh nilai V_CB dan I_C sampai diperoleh 3 data.
7. Mencatat hasil pengamatan pada tabel pengamatan.

HASIL EKSPERIMEN DAN ANALISIS DATA

Hasil Pengamatan

Kegiatan 1                   :  Karakteristik masukan basis ditanahkan

Tabel  3.1                    :  Karakteristik masukan basis ditanahkan

V _EE                 = 6 V                           Batas Ukur Voltmeter = 20 V

V_CC                   = 6 V                            Batas Ukur Ammeter = 200 mA

No	VCB = 0,00 V		VCB = 2,95 V		VCB = 5,98 V
	VBE(V)	IE(mA)	VBE(V)	IE (mA)	VBE(V)	IE(mA)
1	0,05	0,00	0,05	0,00	0,05	0,00
2	0,10	0,00	0,10	0,00	0,10	0,00
3	0,15	0,00	0,15	0,00	0,15	0,00
4	0,20	0,00	0,20	0,00	0,20	0,00
5	0,25	0,00	0,25	0,00	0,25	0,00
6	0,30	0,00	0,30	0,00	0,30	0,00
7	0,35	0,00	0,35	0,00	0,35	0,00
8	0,40	0,00	0,40	0,00	0,40	0,00
9	0,45	0,00	0,45	0,01	0,45	0,00
10	0,50	0,02	0,50	0,03	0,50	0,01
11	0,52	0,04	0,52	0,04	0,52	0,02
12	0,54	0,06	0,54	0,06	0,54	0,05
13	0,56	0,08	0,56	0,08	0,56	0,06
14	0,58	0,10	0,58	0,12	0,58	0,10
15	0,60	0,11	0,60	0,14	0,60	0,15

Grafik 1 : Ciri Statik Masukan Basis ditanahkan

Kegiatan 2                   : Karakteristik keluaran basis ditanahkan

Tabel 2                        : Karakteristik keluaran basis ditanahkan

V_CC                  = 6 V                                                   Batas Ukur Voltmeter = 20 V

V_EE                  = 6 V                                                   Batas Ukur Ammeter = 200 mA

IE = 0,04mA		IE = 0,08 mA		IE = 0,14 mA
VCB(V)	IC(mA)``	VCB(V)	IC(mA)	VCB(V)	IC(mA)
0,05	0,04	0,05	0,08	0,05	0,14
0,10	0,04	0,10	0,08	0,10	0,14
0,15	0,04	0,15	0,08	0,15	0,14
0,20	0,04	0,20	0,08	0,20	0,14
0,25	0,04	0,25	0,08	0,25	0,14
0,30	0,04	0,30	0,08	0,30	0,14
0,35	0,04	0,35	0,08	0,35	0,14
0,40	0,04	0,40	0,08	0,40	0,14
0,45	0,04	0,45	0,08	0,45	0,14
0,50	0,04	0,50	0,08	0,50	0,14
0,55	0,04	0,55	0,08	0,55	0,14
0,60	0,04	0,60	0,08	0,60	0,14
0,65	0,04	0,65	0,08	0,65	0,14
0,70	0,04	0,70	0,08	0,70	0,14
0,75	0,04	0,75	0,08	0,75	0,14
0,80	0,04	0,80	0,08	0,80	0,14
0,85	0,04	0,85	0,08	0,85	0,14
0,90	0,04	0,90	0,08	0,90	0,14
0,95	0,04	0,95	0,08	0,95	0,14
1,00	0,04	1,00	0,08	1,00	0,14
1,05	0,04	1,05	0,08	1,05	0,14
1,10	0,04	1,10	0,08	1,10	0,14
1,15	0,04	1,15	0,08	1,15	0,14
1,20	0,04	1,20	0,08	1,20	0,14
1,25	004	1,25	0,08	1,25	0,14
1,30	0,04	1,30	0,08	1,30	0,14
1,35	0,04	1,35	0,08	1,35	0,14
1,40	0,04	1,40	0,08	1,40	0,14
1,45	0,04	1,45	0,08	1,45	0,14
1,50	0,04	1,50	0,08	1,50	0,14
1,55	0,04	1,55	0,08	1,55	0,14
1,60	0,04	1,60	0,08	1,60	0,14
1,65	0,04	1,65	0,08	1,65	0,14
1,70	0,04	1,70	0,08	1,70	0,14
1,75	0,04	1,75	0,08	1,75	0,14
1,80	0,04	1,80	0,08	1,80	0,14
1,85	0,04	1,85	0,08	1,85	0,14
1,90	0,04	1,90	0,08	1,90	0,14
1,95	0,04	1,95	0,08	1,95	0,14
2,00	0,04	2,00	0,08	2,00	0,14
2,05	0,04	2,05	0,08	2,05	0,14
2,10	0,04	2,10	0,08	2,10	0,14
2,15	0,04	2,15	0,08	2,15	0,14
2,20	0,04	2,20	0,08	2,20	0,14
IE = 0,04mA		IE = 0,08 mA		IE = 0,14 mA
VCB(V)	IC(mA)``	VCB(V)	VCB(V)	IC(mA)``	VCB(V)
2,25	0,04	2,25	0,08	2,25	0,14
2,30	0,04	2,30	0,08	2,30	0,14
2,35	0,04	2,35	0,08	2,35	0,14
2,40	0,04	2,40	0,08	2,40	0,14
2,45	0,04	2,45	0,08	2,45	0,14
2,50	0,04	2,50	0,08	2,50	0,14
2,55	0,04	2,55	0,08	2,55	0,14
2,60	0,04	2,60	0,08	2,60	0,14
2,65	0,04	2,65	0,08	2,65	0,14
2,70	0,04	2,70	0,08	2,70	0,14
2,75	0,04	2,75	0,08	2,75	0,14
2,80	0,04	2,80	0,08	2,80	0,14
2,85	0,04	2,85	0,08	2,85	0,14
2,90	0,04	2,90	0,08	2,90	0,14
3,00	0,04	3,00	0,08	3,00	0,14
3,05	0,04	3,05	0,08	3,05	0,14
3,10	0,04	3,10	0,08	3,10	0,14
3,15	0,04	3,15	0,08	3,15	0,14
3,20	0,04	3,20	0,08	3,20	0,14
3,25	0,04	3,25	0,08	3,25	0,14
3,30	0,04	3,30	0,08	3,30	0,14
3,35	0,04	3,35	0,08	3,35	0,14
3,40	0,04	3,40	0,08	3,40	0,14
3,45	0,04	3,45	0,08	3,45	0,14
3,50	0,04	3,50	0,08	3,50	0,14
3,55	0,04	3,55	0,08	3,55	0,14
3,60	0,04	3,60	0,08	3,60	0,14
3,65	0,04	3,65	0,08	3,65	0,14
3,70	0,04	3,70	0,08	3,70	0,14
3,75	0,04	3,75	0,08	3,75	0,14
3,80	0,04	3,80	0,08	3,80	0,14
3,85	0,04	3,85	0,08	3,85	0,14
3,90	0,04	3,90	0,08	3,90	0,14
3,95	0,04	3,95	0,08	3,95	0,14
4,00	0,04	4,00	0,08	4,00	0,14
4,05	0,04	4,05	0,08	4,05	0,14
4,10	0,04	4,10	0,08	4,10	0,14
4,15	0,04	4,15	0,08	4,15	0,14
4,20	0,04	4,20	0,08	4,20	0,14
4,25	0,04	4,25	0,08	4,25	0,14
4,30	0,04	4,30	0,08	4,30	0,14
4,35	0,04	4,35	0,08	4,35	0,14
4,40	0,04	4,40	0,08	4,40	0,14
4,45	0,04	4,45	0,08	4,45	0,14
4,50	0,04	4,50	0,08	4,50	0,14
4,55	0,04	4,55	0,08	4,55	0,14
4,60	0,04	4,60	0,08	4,60	0,14
4,65	0,04	4,65	0,08	4,65	0,14
4,70	0,04	4,70	0,08	4,70	0,14
4,75	0,04	4,75	0,08	4,75	0,14
4,80	0,04	4,80	0,08	4,80	0,14
IE = 0,04mA		IE = 0,08 mA		IE = 0,14 mA
VCB(V)	IC(mA)``	VCB(V)	VCB(V)	IC(mA)``	VCB(V)
4,85	0,04	4,85	0,08	4,85	0,14
4,90	0,04	4,90	0,08	4,90	0,14
4,95	0,04	4,95	0,08	4,95	0,14
5,00	0,04	5,00	0,08	5,00	0,14
5,05	0,04	5,05	0,08	5,05	0,14
5,10	0,04	5,10	0,08	5,10	0,14
5,15	0,04	5,15	0,08	5,15	0,14
5,20	0,04	5,20	0,08	5,20	0,14
5,25	0,04	5,25	0,08	5,25	0,14
5,30	0,04	5,30	0,08	5,30	0,14
5,35	0,04	5,35	0,08	5,35	0,14
5,40	0,04	5,40	0,08	5,40	0,14
5,45	0,04	5,45	0,08	5,45	0,14
5,50	0,04	5,50	0,08	5,50	0,14
5,55	0,04	5,55	0,08	5,55	0,14
5,60	0,04	5,60	0,08	5,60	0,14
5,65	0,04	5,65	0,08	5,65	0,14
5,70	0,04	5,70	0,08	5,70	0,14
5,75	0,04	5,75	0,08	5,75	0,14
5,80	0,04	5,80	0,08	5,80	0,14
5,85	0,04	5,85	0,08	5,85	0,14
5,90	0,04	5,90	0,08	5,90	0,14
5,95	0,04	5,95	0,08	5,95	0,14

Grafik : ciri statik keluaran basis ditanahkan

PEMBAHASAN

Pada percobaan ini, digunakan 1 buah transistor BC107B jenis npn, dua buah potensiometer B10K dan dua buah power supply dimana satu power supply digunakan sebagai V_CC dan yang satu lagi digunakan sebagai V_EE dengan tegangan yang sama yaitu 6 volt serta digunakan secara bersamaan. Pada percobaan ini kami memperoleh dua data yaitu karakteristik masukan dan karakteristik keluaran transistor basis ditanahkan.

Kegiatan 1: karakteristik masukan CBC

Pada karakteristik masukan transistor basis ditanahkan, sambungan kolektor-basis diberikan panjar maju dengan cara menghubungkannya dengan kutub negatif pada power suplly dan kaki basis terhubung dengan kutub positif power supply. Pada karakteristik masukan diperoleh tiga data pada tegangan V_CB yang dikonstankan sehingga diperoleh untuk V_CB = 0,00 V, pada saat tegangan V_BE sama dengan 0,50 volt, kuat arus emiter (I_E) mengalami kenaikan yang signifikan. Untuk V_CB = 2,95 V,  pada saat tegangan V_BE sama dengan 0,45 volt, kuat arus emiter (I_E) mengalami kenaikan yang signifikan. Untuk V_CB = 5,98 V, pada saat tegangan V_BE sama dengan 0,50 volt, kuat arus emiter (I_E) mengalami kenaikan yang signifikan.

Berdasarkan data yang diperoleh menunjukkan kurva dioda panjar maju. Nilai V_CB 5,98 V lebih cepat melonjak naik dibandingkan dengan nilai V_CB 0,00 V dan V_CB 2,98 V dan pada grafik terlihat hampir berimpit satu sama lain. Hal ini menandakan bahwa tegangan V_CB tidak banyak berpengaruh pada masukan.

Kegiatan 2: karakteristik keluaran  CBC

Pada karakteristik keluaran transistor basis ditanahkan, sambungan emiter-basis diberi panjar mundur. Kaki emiter terhubung dengan kutub positif power suplay dan kaki basis terhubung dengan kutub negatif power suplay. Pada karakteristik keluaran  diperoleh tiga data pada kuat arus I_E yang dikonstankan. Untuk I_E = 0,04 mA pada saat tegangan V_CB sama dengan 0,05 volt, 0,10 volt, sampai  5,95 volt, kuat arus kolektor (I_C) sama dengan kuat arus emiter (I_E) yang nilainya 0,04 mA. Untuk _IE =  0.08 mA, pada saat tegangan V_CB sama dengan 0,05 volt sampai 5,95  kuat arus kolektor (I_C) sama dengan kuat arus masukan (I_E) yang nilainya 0,08 mA. Untuk I_E = 0,14 mA, pada saat tegangan V_CB sama dengan 0,05 volt, sampai 5,95 volt, nilai kuat arus kolektor (I_C) hampir sama dengan kuat arus masukan (I_E) yang nilainya 0,14  mA.

Berdasarkan ketiga data diatas, menunjukkan bahwa nilai I_E 0,14 mA lebih cepat melonjak naik dibandingkan dengan nilai I_E 0,04 mA dan I_E 0,08 mA. Kurva karakteristik keluaran memiliki ciri lengkungan yang sama dengan panjar mundur. Dimana arus I_C hampir atau sama dengan arus I_E, hal ini berarti arus kolektor I_C sebanding dengan arus emitor I_E. Dengan demikian dapat dikatakan bahwa arus emitor I_E berpengaruh terhadap arus kolektor I_C, dimana semakin besar arus pada emitor maka semakin besar pula arus pada kolektor. Sedangkan V_CB  tidak mempengaruhi nilai  I_C.  Parameter α mempunyai nilai hampir sama dengan satu yaitu : 0,990-0,998.

SIMPULAN DAN DISKUSI

1. Simpulan   

            Pada percobaan karakteristik transistor basis ditanahkan diperoleh kesimpulan bahwa pada karakteristik masukan basis ditanahkan diberi panjar maju, dimana kolektor sebagai outputnya dan emiter sebagai inputnya. Sedangkan nilai V_CB tidak banyak berpengaruh terhadap nilai masukan I_E. Untuk  karakteristik keluaran diberi panjar mundur, dimana kuat arus masukan I_E sebanding dengan kuat arus keluaran I_C sehingga semakin besar kuat arus masukan I_E maka semakin besar pula kuat arus keluaran I_C, dan V_CB tidak mempengaruhi I_E.

1. Diskusi   

            Pada percobaan selanjutnya, sebaiknya alat-alat yang akan digunakan semuanya berfungsi dengan baik dan alangkah baiknya jika kita dapat menggunakan 2 jenis transistor yaitu tipe npn dan pnp.

DAFTAR RUJUKAN

Amos, Stand dan Mike James. 2000. Principles of Transistor Circuit. New Delhi: Devision of    Education and Proffesional.

Bird, jhon. 2003. Electrical and Electronic Principles and Technology. India:  Laserwords      

          Private Limited.

Eggleston,Dennis L. 2011. Basic Electronics for Scients and Engineers. New York: Cambridge    University Press.

Herman S.Pd. 2014. Penuntun Praktikum Elektronika Dasar Lanjutan. Makassar: UIN.

Sutrisno. 1986. Elektronika Teori dan Penerapannya. Bandung : ITB.